Kinetic-limited etching of magnesium doping nitrogen polar GaN in potassium hydroxide solution
Kinetic-limited etching of magnesium doping nitrogen polar GaN in potassium hydroxide solution
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氢氧化钾溶液中镁掺杂氮极性 GaN 的动力学限制刻蚀
DOI：
10.1016/j.apsusc.2015.11.066
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发表时间：
2016
影响因子：
6.7
通讯作者：
Du, Guotong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li, Pengchong;Zhao, Degang;Zhang, Baolin;Du, Guotong
对通过金属有机化学气相沉积生长的未掺杂和镁掺杂 N 极性 GaN 薄膜进行基于 KOH 的湿法蚀刻。研究发现，与未掺杂的N极GaN相比，Mg掺杂的N极GaN的刻蚀速率明显变慢。 X射线光电子能谱分析证明，N极性GaN表面形成的Mg氧化物不溶于KOH溶液，因此随着刻蚀过程的进行，会发生动力学限制刻蚀。 Mg 掺杂 N 极性 GaN 在 KOH 溶液中的蚀刻工艺模型暂定使用简化的理想原子构型。拉曼光谱分析表明，Mg 掺杂可以在 N 极性 GaN 薄膜中引起拉伸应变。同时，通过优化双环戊二烯基镁流量，获得了空穴浓度为2.4ÿ1017cm⿿3的p型N极性GaN薄膜。
KOH based wet etchings were performed on both undoped and Mg-doped N-polar GaN films grown by metal-organic chemical vapor deposition. It is found that the etching rate for Mg-doped N-polar GaN gets slow obviously compared with undoped N-polar GaN. X-ray photoelectron spectroscopy analysis proved that Mg oxide formed on N-polar GaN surface is insoluble in KOH solution so that kinetic-limited etching occurs as the etching process goes on. The etching process model of Mg-doped N-polar GaN in KOH solution is tentatively purposed using a simplified ideal atomic configuration. Raman spectroscopy analysis reveals that Mg doping can induce tensile strain in N-polar GaN films. Meanwhile, p-type N-polar GaN film with a hole concentration of 2.4 ÿ 1017cm⿿3was obtained by optimizing bis-cyclopentadienyl magnesium flow rates.
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影响因子：
1.5
作者：
T. Tanikawa;K. Shojiki;Takashi Aisaka;Takeshi Kimura;S. Kuboya;T. Hanada;R. Katayama;T. Matsuoka
通讯作者：
T. Tanikawa;K. Shojiki;Takashi Aisaka;Takeshi Kimura;S. Kuboya;T. Hanada;R. Katayama;T. Matsuoka
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Ng, HM;Weimann, NG;Chowdhury, A
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Sitar, Zlatko
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Hashizume, T
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Hashizume, T