Light-tunable 2D subband population in a GaN/AlGaN heterostructure
Light-tunable 2D subband population in a GaN/AlGaN heterostructure
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GaN/AlGaN 异质结构中的光可调 2D 子带群
DOI：
10.1063/5.0027010
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发表时间：
2021
影响因子：
4
通讯作者：
I.V. Kukushkin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
V.V. Solovyev;S. Schmult;L. Krückeberg;A. Großer;T. Mikolajick;I.V. Kukushkin
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磁光确认在块状 GaN 上生长的 GaN/AlGaN 2DEG 中的朗道能级分裂
影响因子：
1.4
作者：
S. Schmult;V.V. Solovyev;S. Wirth;A. Großer;T. Mikolajick;I.V. Kukushkin
通讯作者：
I.V. Kukushkin
AlxGalxN/GaN异质界面三角量子阱中不同子带二维电子气的输运特性
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
Applied Physics Letters 82(12).
影响因子：
--
作者：
Z. W. Zheng;B. Shen;Y. S. Gui;C. P. Jiang;N. Tang;R. Zhang;Y. Shi;Y. D. Zheng;S. L. Guo;G. Z. Zheng;J. H. Chu;T. Someya;Y. Arakawa
通讯作者：
Y. Arakawa
在块状 GaN 上生长的光诱导 GaN/AlGaN 2DEG 的量子和传输寿命
影响因子：
1.4
作者：
Luisa Krückeberg;Steffen Wirth;Victor Solovyev;Andreas Großer;Igor Kukushkin;Thomas Mikolajick;Stefan Schmult
通讯作者：
Stefan Schmult
AlGaN/AlN/GaN/AlN 异质结构中的大零场自旋分裂
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. B. Lişesivdin;N. Balkan;O. Makarovsky;A. Patané;A. Yildiz;M. Caliskan;M. Kasap;S. Özçelik;E. Ozbay
通讯作者：
E. Ozbay
对“调制掺杂 AlxGa1−xN∕GaN 异质结构中的自旋分裂”的评论
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
作者：
N. Tang;B. Shen;M. J. Wang;Zhijian Yang;K. Xu;Guangyu Zhang;D. J. Chen;Y. Xia;Yue;R. Zhang;Youliao Zheng
通讯作者：
Youliao Zheng