Semiconductor(BaSi2)/metal(CoSi2) Schottky-barrier structures epitaxially grown on Si(1 1 1) substrates by molecular beam epitaxy
Semiconductor(BaSi2)/metal(CoSi2) Schottky-barrier structures epitaxially grown on Si(1 1 1) substrates by molecular beam epitaxy
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通过分子束外延在 Si(1 1 1) 衬底上外延生长半导体(BaSi2)/金属(CoSi2)肖特基势垒结构
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2007.12.044
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发表时间：
2008
影响因子：
1.8
通讯作者：
Dai Tsukada
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Suemasu;M. Sasase;Y. Ichikawa;M. Kobayashi;Dai Tsukada
Sr添加对三元半导体硅化物Ba_<1-x>Sr_xSi_2结晶度和光吸收边的影响
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
Thin Solid Films 515
影响因子：
--
作者：
K. Morita;M. Kobayashi and T. Suemasu
通讯作者：
M. Kobayashi and T. Suemasu
三元半导体硅化物Ba_<1-x>Sr_xSi_2的光吸收边
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 45
影响因子：
--
作者：
K. Morita;M. Kobayashi and T. Suemasu
通讯作者：
M. Kobayashi and T. Suemasu
带隙可调三元半导体硅化物Ba_<1-X>Sr_XSi_2光伏应用的分子束外延
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
Journal of Crystal Growth 301-302
影响因子：
--
作者：
T. Suemasu;K. Morita;M. Kobayashi
通讯作者：
M. Kobayashi