Molecular beam epitaxy of band gap tunable ternary semiconducting silicides Ba_<1-X>Sr_XSi_2 for photovoltaic application
Molecular beam epitaxy of band gap tunable ternary semiconducting silicides Ba_<1-X>Sr_XSi_2 for photovoltaic application
复制标题
带隙可调三元半导体硅化物Ba_<1-X>Sr_XSi_2光伏应用的分子束外延
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Suemasu;K. Morita;M. Kobayashi
登录
查看更多内容
在 Si(001) 衬底上形成 β-FeSi 2 层
影响因子：
1.5
作者：
Masaya Tanaka;Y. Kumagai;T. Suemasu;F. Hasegawa
通讯作者：
F. Hasegawa
Si(100)上硅化钡的结构和电子性质
影响因子：
1.5
作者：
K. Ojima;M. Yoshimura;K. Ueda
通讯作者：
K. Ueda
碱土金属二硅化物和二锗化物的电性能
影响因子：
5.4
作者：
J. Evers;A. Weiss
通讯作者：
A. Weiss
三元半导体硅化物Ba_<1-x>Sr_xSi_2的光吸收边
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 45
影响因子：
--
作者：
K. Morita;M. Kobayashi and T. Suemasu
通讯作者：
M. Kobayashi and T. Suemasu
影响因子：
3.3
作者：
EVERS, J
通讯作者：
EVERS, J