Paving the way to dislocation reduction in Ge/Si(001) heteroepitaxy using C-based strained layer superlattices
Paving the way to dislocation reduction in Ge/Si(001) heteroepitaxy using C-based strained layer superlattices
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使用C基应变层超晶格减少Ge/Si(001)异质外延中的位错铺平道路
DOI：
10.1063/5.0004352
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发表时间：
2020
影响因子：
3.2
通讯作者：
H.J. Osten
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Barnscheidt;M. Franck;H.J. Osten
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DOI：
10.1016/0921-5107(91)90100-a
发表时间：
1991-12
影响因子：
3.6
作者：
J. Narayan;S. Sharan
通讯作者：
J. Narayan;S. Sharan
在 Ge(001) 上生长的外延 Ge1-yCy 层中的 C 掺入：从头算研究
影响因子：
3.7
作者：
D. Gall;J. D’Arcy;J. Greene
通讯作者：
J. Greene
固源分子束外延 (111)Si 碳化的初始阶段
DOI：
--
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
V. Cimalla;T. Stauden;G. Ecke;F. Scharmann;G. Eichhorn;J. Pezoldt;S. Sloboshanin;J. Schaefer
通讯作者：
J. Schaefer
通过碳介导外延生长的 Si(001) 上高度硼掺杂的锗层
影响因子：
1.9
作者：
Y. Barnscheidt;J. Schmidt;G. Wetzel;D. Tetzlaff;T. F. Wietler;H.J. Osten
通讯作者：
H.J. Osten
DOI：
--
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
L. Hoffmann;J. C. Bach;B. Nielsen;P. Leary;R. Jones;S. Öberg
通讯作者：
S. Öberg