Highly boron-doped germanium layers on Si(001) grown by carbon-mediated epitaxy
Highly boron-doped germanium layers on Si(001) grown by carbon-mediated epitaxy
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通过碳介导外延生长的 Si(001) 上高度硼掺杂的锗层
DOI：
10.1088/1361-6641/aade69
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发表时间：
2018
影响因子：
1.9
通讯作者：
H.J. Osten
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Barnscheidt;J. Schmidt;G. Wetzel;D. Tetzlaff;T. F. Wietler;H.J. Osten
采用碳介导外延技术在Si（001）衬底上直接生长出光滑且完全松弛的高硼掺杂锗层。兴奋剂的水平
Smooth and fully relaxed highly boron-doped germanium layers were grown directly on Si (001) substrates using carbon-mediated epitaxy. A doping level of
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通讯作者：
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M. Dowsett
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发表时间：
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Y. Fukuda;Y. Kohama
通讯作者：
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发表时间：
2015
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影响因子：
--
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通讯作者：
P. Yunin
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DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Biennial University/Government/Industry Microelectronics Symposium
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
Xuhui Sun