Single-electron tunnelling via quantum dot cavities built on a silicon suspension nanobridge
Single-electron tunnelling via quantum dot cavities built on a silicon suspension nanobridge
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通过建立在硅悬浮纳米桥上的量子点腔进行单电子隧道效应
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Ogi;S. Oda;et al.
双栅纳米晶硅点接触晶体管中单电子振荡的切换
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Khalafalla;H. Mizuta;Z. Durrani
通讯作者：
Z. Durrani
影响因子：
8.6
作者：
E. Weig;R. Blick;Tobias Brandes;J. Kirschbaum;Werner Wegscheider;M. Bichler;J. Kotthaus
通讯作者：
E. Weig;R. Blick;Tobias Brandes;J. Kirschbaum;Werner Wegscheider;M. Bichler;J. Kotthaus