Formation of Silicon Quantum Dots Sheet on a Nonmetallic CaF2 Surface
Formation of Silicon Quantum Dots Sheet on a Nonmetallic CaF2 Surface
复制标题
非金属 CaF2 表面硅量子点片的形成
DOI：
10.1002/admi.202001295
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发表时间：
2020
影响因子：
5.4
通讯作者：
Y. Nakamura
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Ito;H. Nakano;Y. Nakamura
对用于高速电子器件的原子层二维材料的研究引起了极大的关注，硅烯，Si的单原子层同素异形体，被认为是最有效的材料。对于实际的器件应用，有必要在非金属衬底上生长硅烯;然而，仅报道了在金属或非金属衬底上生长硅烯。在这项研究中，Si量子点片生长在非金属外延CaF 2表面的单层厚Si的沉积。通过在室温至650 °C的温度范围内沉积Si，获得由高密度量子点（7.8 × 1012 cm−2）组成的2D片材。扫描隧道光谱和X射线光电子能谱测量表明，Si在CaF 2表面形成了包含量子尺寸点的连续膜。
The research on the atomic layer 2D materials employed in ultrahigh‐speed electronic devices has attracted significant attention and silicene, a monoatomic layer allotrope of Si, is considered the most effective material. For practical device applications, it is necessary to grow silicene on a nonmetallic substrate; however, only the growth of silicene on metallic or semiconductive substrates is reported. In this study, Si quantum dot sheets are grown on a nonmetallic epitaxial CaF2 surface by the deposition of monolayer thick Si. By depositing Si at a temperature ranging from room temperature to 650 °C, a 2D sheet composed of high‐density quantum dots (7.8 × 1012 cm−2) is obtained. Scanning tunneling spectroscopy and X‐ray photoelectron spectroscopy measurements reveal that Si forms a continuous film containing quantum‐sized dots on the CaF2 surface.
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