Variability and Fidelity Limits of Silicon Quantum Gates Due to Random Interface Charge Traps
Variability and Fidelity Limits of Silicon Quantum Gates Due to Random Interface Charge Traps
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由于随机界面电荷陷阱而导致的硅量子门的可变性和保真度限制
DOI：
10.1109/led.2020.2997009
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发表时间：
2020
影响因子：
4.9
通讯作者：
Guo, Jing
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wu, Tong;Guo, Jing
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影响因子：
3.1
作者：
Tong Wu;Jing Guo
通讯作者：
Jing Guo
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DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
P. Harvey;R. Jock;N. Jacobson;Andrew D. Baczewski;A. Mounce;M. Curry;D. Ward;John M. Anderson;R. Manginell;J. Wendt;M. Rudolph;T. Pluym;M. Lilly;M. Pioro;M. Carroll
通讯作者：
M. Carroll
影响因子：
4.9
作者：
Tong Wu;Jing Guo
通讯作者：
Jing Guo
影响因子：
3.7
作者：
Gungordu, Utkan;Kestner, J. P.
通讯作者：
Kestner, J. P.
影响因子：
4
作者：
Mukhopadhyay, Uditendu;Dehollain, Juan Pablo;Vandersypen, Lieven M. K.
通讯作者：
Vandersypen, Lieven M. K.