Growth Direction of VLS Silicon Nanowires with Surface Nanoholes Formed Using MACE
Growth Direction of VLS Silicon Nanowires with Surface Nanoholes Formed Using MACE
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使用 MACE 形成表面纳米孔的 VLS 硅纳米线的生长方向
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Isono
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Uesugi;T. Horita;K. Sugano;Y. Isono
影响因子：
17.1
作者：
Chen, Songyue;Bomer, Johan G.;van den Berg, Albert
通讯作者：
van den Berg, Albert
一种通过新颖的斜坡冷却工艺生长垂直排列硅纳米线的可靠方法
影响因子：
6.7
作者：
T. Ho;F. Hong
通讯作者：
F. Hong