β-(AlxGa1-x)2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合界面におけるキャリア閉じ込めの観察
β-(AlxGa1-x)2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合界面におけるキャリア閉じ込めの観察
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β-(AlxGa1-x)2O3/β-Ga2O3 异质结界面载流子限制的观察
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
加藤勇次，大島孝仁，河野直士，倉又朗人，山腰茂伸，藤田静雄，大石敏之，嘉数誠
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takayoshi Oshima;Yuji Kato;Naoto Kawano; Akito Kuramata;Shigenobu Yamakoshi; Shizuo Fujita; Toshiyuki Oishi;and Makoto Kasu;Takayoshi Oshima;橋口明広，森林朋也，大島孝仁，大石敏之，輿公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田修，嘉数誠;森林朋也，橋口明広，大島孝仁，花田賢志，大石敏之，輿公祥，佐々木公平，倉又朗人，上田修，嘉数誠;加藤勇次，大島孝仁，織田真也，人羅俊実，嘉数誠;加藤勇次，大島孝仁，河野直士，倉又朗人，山腰茂伸，藤田静雄，大石敏之，嘉数誠
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使用原子探针断层扫描对 β-(AlxGa1−x)2O3 薄膜中的化学异质性进行原子尺度研究
影响因子：
4
作者：
B. Mazumder;Jith Sarker;Yuewei Zhang;Jared M. Johnson;Menglin Zhu;S. Rajan;Jinwoo Hwang
通讯作者：
Jinwoo Hwang
(AlxGa1−x)2O3 和 Ga2O3 之间与方向相关的能带偏移
影响因子：
4
作者：
Sai Mu;H. Peelaers;Yong;Mengen Wang;C. D. Walle
通讯作者：
C. D. Walle
影响因子：
1.5
作者：
Oshima, Takayoshi;Okuno, Takeya;Fujita, Shizuo
通讯作者：
Fujita, Shizuo
回应“关于‘(AlxGa1−x)2O3 薄膜 MOCVD 生长中的相变’的评论”[APL Mater. 8, 089101 (2020)]
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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作者：
A. Bhuiyan;Zixuan Feng;Jared M. Johnson;Hsien;Jith Sarker;Menglin Zhu;Md Rezaul Karim;B. Mazumder;Jinwoo Hwang;Hongping Zhao
通讯作者：
Hongping Zhao
影响因子：
4
作者：
J. Varley;A. Perron;V. Lordi;D. Wickramaratne;J. L. Lyons
通讯作者：
J. Varley;A. Perron;V. Lordi;D. Wickramaratne;J. L. Lyons