Carrier recombination processes in Mg-doped N-polar InN films
Carrier recombination processes in Mg-doped N-polar InN films
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掺镁 N 极性 InN 薄膜中的载流子复合过程
DOI：
10.1002/pssb.201100496
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Daichi Imai;et al.
InN的辐射复合效率低于其它III类氮化物二元化合物(GaN，AlN)。特别是，p-InN的光致发光强度比n-Inn弱三个数量级或更多。我们研究了InN中的非辐射复合(NR)过程，包括载流子密度、非辐射复合过程的激活能以及红外(IR)测量估算的内部体区的载流子散射率，结果表明p-InN的非辐射复合中心与n型薄膜的非辐射复合中心来自相同的缺陷物种。我们还比较了N-极和极内样品的发光性质，表明NR过程是由受主性质的深能级电子俘获启动的。
Radiative recombination efficiency in InN is lower than the other III nitride binary compounds (GaN, AlN). Particularly, photoluminescence (PL) intensity in p‐InN is weaker than that in n‐InN by three orders or more. We investigate the nonradiative recombination (NR) processes in InN with respect to carrier density, activation energy of NR processes, and carrier scattering rate of the inside bulk region estimated by infrared (IR) measurements, and show that NR centers of p‐InN originate from the same defect species as those of n‐type films. We also compare PL properties of N‐polar and In‐polar samples, and show that NR process is initiated by electron capture by deep levels of accepter nature.
掺镁氮化铟的载流子动力学
DOI：
10.1117/12.874133
发表时间：
2010
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
H. Ahn;Chao;Y. Hong;S. Gwo
通讯作者：
S. Gwo
半导体深层缺陷连续捕获电子和空穴引起的多声子非辐射复合
影响因子：
8.6
作者：
H. Sumi
通讯作者：
H. Sumi
影响因子：
3.7
作者：
KUKIMOTO, H;HENRY, CH;MERRITT, FR
通讯作者：
MERRITT, FR