A combined approach to fabricating Si nanocrystals with high photoluminescence intensity
A combined approach to fabricating Si nanocrystals with high photoluminescence intensity
复制标题
一种制备高光致发光强度硅纳米晶体的组合方法
DOI：
10.1016/j.apsusc.2008.10.052
复制
发表时间：
2009
影响因子：
6.7
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
这项工作表明，通过结合三种方法与不同的机制，以提高嵌入在SiO2（或Si-nc：SiO2），一个有前途的材料，用于开发硅光源的硅纳米晶体的光致发光（PL）强度，可以实现一个非常高的PL强度。通过在Si（100）衬底上交替蒸发SiO和SiO2，然后在1100°C下热退火，制备了30层Si-nc：SiO2/SiO2样品。这种多层样品具有相当高的PL效率为14%，由Greenham的方法测量，这是44倍，对于相同量的过量Si含量的单层的。在此基础上，对多层样品进行CeF 3掺杂和氢钝化处理，在相同过量Si含量下，样品的荧光强度是单层样品的167倍。
This work demonstrates that by combining three methods with different mechanisms to enhance the photoluminescence (PL) intensity of Si nanocrystals embedded in SiO2(or Si-nc:SiO2), a promising material for developing Si light sources, a very high PL intensity can be achieved. A 30-layered sample of Si-nc:SiO2/SiO2was prepared by alternatively evaporating SiO and SiO2onto a Si(100) substrate followed by thermal annealing at 1100°C. This multilayered sample possessed a fairly high PL efficiency of 14% as measured by Greenham's method, which was 44 times that of a single-layered one for the same amount of excess Si content. Based on this multilayered sample, treatments of CeF3doping and hydrogen passivation were subsequently applied, and a high PL intensity which was 167 times that of a single-layered one for the same amount of excess Si content was achieved.
登录
查看更多内容
影响因子：
64.8
作者：
Lorenzo Pavesi;L. D. Negro;C. Mazzoleni;G. Franzò;F. Priolo
通讯作者：
Lorenzo Pavesi;L. D. Negro;C. Mazzoleni;G. Franzò;F. Priolo
影响因子：
24.2
作者：
Fauchet, Philippe M.
通讯作者：
Fauchet, Philippe M.
影响因子：
4
作者：
Zacharias, M;Heitmann, J;Bläsing, J
通讯作者：
Bläsing, J
影响因子：
4
作者：
Yudan Wang;G. Kong;Weixi Chen;H. Diao;Chang-Nan Chen;Si-jia Zhang;X. Liao
通讯作者：
Yudan Wang;G. Kong;Weixi Chen;H. Diao;Chang-Nan Chen;Si-jia Zhang;X. Liao
影响因子：
3.9
作者：
Dal Negro, L;Pavesi, L;Priolo, F
通讯作者：
Priolo, F