Study of Quantum Point Contact via Low Temperature Scanning Gate Microscopy
Study of Quantum Point Contact via Low Temperature Scanning Gate Microscopy
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低温扫描门显微镜研究量子点接触
DOI：
10.1088/1742-6596/38/1/020
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y. Ochiai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N. Aoki;A. Burke;Carlo Requião da Cunha;R. Akis;D. Ferry;Y. Ochiai
用低温扫描栅显微镜研究了两种量子点接触。除了通常的亮点，这对应于一个大的电导变化的收缩，环结构附近的量子点接触的中心观察。当侧栅电压改变时，环的直径随基区电导的增加而减小。环被认为与收缩区中杂质势的观察有关。
Two types of quantum point contacts have been studied by low temperature scanning gate microscopy. In addition to the usual bright spot, which corresponds to a large conductance change at the constriction, ring structures are observed near the center of the quantum point contact. The ring diameter shrinks with increasing base conductance when the side gate voltage is changed. The rings are thought to relate to the observation of impurity potentials in the constriction region.
通过扫描门显微镜观察 InGaAs 量子点接触
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
Kotai Butsuri 42
影响因子：
--
作者：
Nobuyuki Aoki;Yuichi Ochiai
通讯作者：
Yuichi Ochiai
影响因子：
3.7
作者：
N. Aoki;Carlo Requião da Cunha;R. Akis;D. Ferry;Y. Ochiai
通讯作者：
N. Aoki;Carlo Requião da Cunha;R. Akis;D. Ferry;Y. Ochiai