Cathodoluminescence study of AlN grown on 4H-SiC(11-20)
Cathodoluminescence study of AlN grown on 4H-SiC(11-20)
复制标题
4H-SiC(11-20)上生长的AlN的阴极发光研究
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Kimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Horita;N.Onojima;J.Suda;T.Kimoto
通过分子束外延在 6H-SiC (112̄0) 上生长 AlN (112̄0)
影响因子：
1.5
作者：
N. Onojima;J. Suda;H. Matsunami
通讯作者：
H. Matsunami
影响因子：
3.7
作者：
H. Kageshima;K. Shiraishi
通讯作者：
K. Shiraishi
通过多型复制在 4H-SiC(112̄0) 衬底上生长 4H 多型 AlN
影响因子：
4
作者：
N. Onojima;J. Suda;T. Kimoto;H. Matsunami
通讯作者：
H. Matsunami