Carrier lifetime in compressively strained InGaAs quantum well lasers with InGaAsP barrier/waveguide layers grown on GaAs
Carrier lifetime in compressively strained InGaAs quantum well lasers with InGaAsP barrier/waveguide layers grown on GaAs
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具有在 GaAs 上生长的 InGaAsP 势垒/波导层的压缩应变 InGaAs 量子阱激光器的载流子寿命
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Tanaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W.Susaki;S.Ukawa;M.Tanaka
使用静水压力确定长波长量子阱半导体激光器中俄歇复合的波长依赖性
影响因子：
2.5
作者：
M. Silver;E. O’Reilly;A. Adams
通讯作者：
A. Adams
高强度激发下 GaAs-AlGaAs 单量子阱激光器的载流子复合率
影响因子：
4
作者：
P. Wang;K. K. Lee;G. Yao;Ying;R. Waters
通讯作者：
R. Waters
高功率、高可靠性小纵横比1020 nm脊形波导激光二极管作为掺镨光纤放大器的泵浦源
影响因子：
2.6
作者：
K. Shigihara;K. Kawasaki;S. Yamamura;A. Takemoto;T. Yagi;Y. Mitsui
通讯作者：
Y. Mitsui