One-step synthesis of orientation accumulation SiC-C coaxial nanocables at low temperature
One-step synthesis of orientation accumulation SiC-C coaxial nanocables at low temperature
复制标题
低温一步合成定向堆积SiC-C同轴纳米电缆
DOI：
10.1039/b820954e
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发表时间：
2009-05
影响因子：
--
通讯作者：
Chan, Helen L. W.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Yu;Zhai, Hua-Zhang;Wang, Xiang-Yu;Cao, Chuan-Bao;Cai, Hong-Nian;Chan, Helen L. W.
以SiCl_4、C_6Cl_6和Na为原料，采用溶剂热法一步低温合成了SiC-C同轴纳米电缆。非晶碳包覆β-SiC锥形微晶纳米线的取向累积
SiC-C coaxial nanocables were synthesized via a one-step and low-temperature (∼250 °C) solvothermal process using SiCl4, C6Cl6 and Na as starting materials. The orientation accumulation of β-SiC tapered crystallite nanowires coated by an amorphous carbon
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