The Non-equilibrium Green function approach as a TCAD tool for future CMOS technology
The Non-equilibrium Green function approach as a TCAD tool for future CMOS technology
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非平衡格林函数方法作为未来 CMOS 技术的 TCAD 工具
DOI：
10.1109/sispad.2011.6035058
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Martinez A
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Martinez A
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影响因子：
3.1
作者：
A. Martinez;M. Aldegunde;N. Seoane;A. Brown;J. Barker;A. Asenov
通讯作者：
A. Martinez;M. Aldegunde;N. Seoane;A. Brown;J. Barker;A. Asenov
n-Si 纳米线 MOSFET 中隧道效应的详细 3D-NEGF 模拟研究
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
2010 Silicon Nanoelectronics Workshop
影响因子：
--
作者：
A. Martinez;N. Seoane;A. Brown;A. Asenov
通讯作者：
A. Asenov
稀磁合金中的自旋共振理论
DOI：
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发表时间：
1972
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Langreth;J. Wilkins
通讯作者：
J. Wilkins
硅纳米线 CMOS 技术特性可变性的实验研究和设计优化指南
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
J. Zhuge;Runsheng Wang;Ru Huang;Jibin Zou;Xin Huang;D. Kim;Donggun Park;Xing Zhang;Yangyuan Wang
通讯作者：
Yangyuan Wang