Hydrogen Redistribution and Performance Improvement of Silicon Avalanche Photodiode by Low-Temperature Annealing
Hydrogen Redistribution and Performance Improvement of Silicon Avalanche Photodiode by Low-Temperature Annealing
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低温退火对硅雪崩光电二极管的氢重新分布和性能改进
DOI：
10.1109/led.2012.2200451
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发表时间：
2012
影响因子：
4.9
通讯作者：
T. Kawauchi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T.Yamashita;Y.Sugawara;Y.Uraoka;T.Fuyuki;M.Kimura;小林純;齋藤哲郎;T. Kawauchi
报道了用于电子探测的硅雪崩光电二极管(雪崩光电二极管)经退火后性能的改善。结果表明，在500K下进行10h的退火处理后，薄膜的暗电流减小，增益和能量分辨率提高。通过核反应分析，测量了退火前后薄膜中氢的深度分布。退火显著提高了近表面区的氢浓度。我们讨论了氢原子对杂质和/或缺陷能级的钝化是提高光电二极管性能的一个可能原因。
We report the performance improvement of the silicon avalanche photodiode (APD) for electron detection by annealing. It was found that the dark current is reduced and that the gain and energy resolution are improved by annealing at 500 K for 10 h. By means of the nuclear reaction analysis, the depth distribution of hydrogen in APD was measured before and after annealing. The hydrogen concentration in the near-surface region was significantly increased by annealing. We discuss that passivation of the impurity and/or defect levels by hydrogen atoms is a possible reason for the performance improvement of the photodiode.
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电子辐照剂量对雪崩光电二极管电子探测器性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Journal of Applied Physics 105/1
影响因子：
--
作者：
K.Yamabe;M.Goto;K.Higuchi;A.Uedono;K.Shiraishi;S.Miyazaki;K.Torii;M.Boero;T.Chikyow;S.Yamasaki;H.Kitajima;K.Yamada;T.Arikado;T. Kawauchi
通讯作者：
T. Kawauchi
Rh(111) 和 H/Rh(111) 的动态 LEED 分析
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
作者：
Masayuki;Fukuoka
通讯作者：
Fukuoka
Si/SiO2/Si 结构退火过程中 H 和 D 相关电荷积累
DOI：
10.1016/s0022-3093(97)00178-6
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Vanheusden;W. L. Warren;R. Devine
通讯作者：
R. Devine
DOI：
10.1016/s0921-4526(99)00463-9
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Peaker;J. Evans;P. Kan;L. Rubaldo;I. Hawkins;K. Vernon;L. Dobaczewski
通讯作者：
L. Dobaczewski
Si(111)金属表面和界面上的氢
影响因子：
3.7
作者：
K. Fukutani;H. Iwai;Y. Murata;H. Yamashita
通讯作者：
H. Yamashita