Impact of Rotation Rate on Bismuth Saturation in GaAsBi Grown by Molecular Beam Epitaxy
Impact of Rotation Rate on Bismuth Saturation in GaAsBi Grown by Molecular Beam Epitaxy
复制标题
旋转速率对分子束外延生长的 GaAsBi 中铋饱和度的影响
DOI：
10.1007/s11664-019-06949-6
复制
发表时间：
2019
影响因子：
2.1
通讯作者：
Vandervelde, Thomas E.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Stevens, Margaret A.;Grossklaus, Kevin A.;McElearney, John H.;Vandervelde, Thomas E.
采用改变衬底转速的固体源分子束外延方法生长了GaAs1−xBix。通过改变晶片上的铋/镓压比，研究了局部铋饱和度的变化。在不同铟含量的GaAs层和InGaAs层上生长薄膜，以改变双酰胺层的应变条件和离面生长速率。所有样品都表现出垂直成分调制，周期为∼ 4 nm，跟踪每个衬底旋转周期的生长速度。这些成分调制的热稳定性表现出与块体GaAsBi相似的行为。双胺组成的调制归因于较低的生长温度和整个样品中不同的Bi/Ga压比，而不是V/III比的变化。
GaAs1−xBixhas been grown by solid-source molecular beam epitaxy using varying substrate rotation rates. Changes in local bismuth saturation were studied by varying the Bi/Ga pressure ratio across the wafer. Films were grown on both GaAs and InGaAs buffer layers with varying indium content to change the strain conditions of the bismide layer and the out-of-plane growth rate. All samples demonstrated vertical composition modulations with a period of ∼ 4 nm that tracked with the rate of growth per substrate rotation cycle. The thermal stability of these composition modulations was shown to behave similarly to bulk GaAsBi. Bismide composition modulations are attributed to the low growth temperature and the varying Bi/Ga pressure ratio across the sample rather than the varying V/III ratio.
登录
查看更多内容
通过在生长过程中振荡 III/V 通量比增加 MBE GaAs1−xBix 薄膜中的铋浓度
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Wood;S. Babcock;Jincheng Li;A. Brown
通讯作者：
A. Brown
通过分子束外延生长与 InP 晶格匹配的 InAlAsSb 中的空间间接辐射复合
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
L. Hirst;M. Lumb;J. Abell;C. T. Ellis;J. Tischler;I. Vurgaftman;J. Meyer;R. Walters;M. González
通讯作者：
M. González
通过分子束外延生长 GaAs1−xBix：光学和结构特性的权衡
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
Jincheng Li;Tong‐Ho Kim;K. Forghani;W. Jiao;W. Kong;K. Collar;T. Kuech;A. Brown
通讯作者：
A. Brown
分子束外延生长的外延 AlGaAs 中衬底旋转引起的成分调制
DOI：
--
发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Chu;N. Chand;D. Sivco;A. Macrander
通讯作者：
A. Macrander
GaInP有序化对聚光太阳能电池电子质量的影响
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
I. García;I. Rey‐Stolle;C. Algora;W. Stolz;K. Volz
通讯作者：
K. Volz