Si(111)表面上におけるInの３原子層構造の作製と電子状態
Si(111)表面上におけるInの３原子層構造の作製と電子状態
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Si(111)表面In三原子层结构的制备及电子态
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
有賀哲也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
村田朋香;黒石健太;湯川恵介;八田振一郎;奥山弘;有賀哲也
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影响因子：
4
作者：
Dingemans, G.;Beyer, W.;Kessels, W. M. M.
通讯作者：
Kessels, W. M. M.
DOI：
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发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
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作者：
Armin G. Aber;S. Glunz;W. Warta
通讯作者：
W. Warta
Si - Si O 2 界面氢分子的迁移、结合和钝化反应
影响因子：
3.7
作者：
L. Tsetseris;S. Pantelides
通讯作者：
S. Pantelides
定义晶体硅太阳能电池的术语
DOI：
10.1002/pip.4670020213
发表时间：
1994
期刊：
影响因子：
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作者：
P. Basore
通讯作者：
P. Basore
使用醌氢醌-甲醇表面钝化对不同加工历史的 p 型直拉硅的整体寿命研究
DOI：
10.1109/pvsc48317.2022.9938829
发表时间：
2022
期刊：
Photovoltaic Specialists Conference
影响因子：
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作者：
T. Mouri;A. Upadhyaya;A. Rohatgi;W. Shafarman;U. Das
通讯作者：
U. Das