Programmable Logic Based on Large Magnetoresistance of Germanium
Programmable Logic Based on Large Magnetoresistance of Germanium
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基于锗大磁阻的可编程逻辑
DOI：
10.1088/0256-307x/33/4/047501
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发表时间：
2016-04
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Xiao-Zhong Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jiao-Jiao Chen;Hong-Guang Piao;Zhao-Chu Luo;Cheng-Yue Xiong;Xiao-Zhong Zhang
我们发现在室温下锗具有非常大的低磁场磁电阻（在0.2 T下约为350%，在0.1 T下约为180%），并且磁电阻对表面粗糙度高度敏感。这种独特的磁电特性被应用于制造能够执行基本布尔逻辑（包括AND、OR、NOR和NAND）的逻辑结构。我们的逻辑器件可能为高性能微处理器铺平道路，并可能使锗家族更先进。
We find extremely large low-magnetic-field magnetoresistance (~350% at 0.2 T and ~180% at 0.1 T) in germanium at room temperature and the magnetoresistance is highly sensitive to the surface roughness. This unique magnetoelectric property is applied to fabricate logic architecture which could perform basic Boolean logic including AND, OR, NOR and NAND. Our logic device may pave the way for a high performance microprocessor and may make the germanium family more advanced.
影响因子：
3.5
作者：
Wang Fan;Qiu Chen;Simiao Xiao;Y. Hao;Xiaoqing Jiang;Ming-hua Wang;Jianyi Yang
通讯作者：
Wang Fan;Qiu Chen;Simiao Xiao;Y. Hao;Xiaoqing Jiang;Ming-hua Wang;Jianyi Yang
影响因子：
3.5
作者：
A. Samavati;Z. Othaman;Shyam Sundar Ghoshal;M. Dousti;R. J. Amjad
通讯作者：
A. Samavati;Z. Othaman;Shyam Sundar Ghoshal;M. Dousti;R. J. Amjad
空间电荷效应在p-n结器件中的大磁阻效应
影响因子：
19
作者：
Yang, Dezheng;Wang, Fangcong;Xue, Desheng
通讯作者：
Xue, Desheng