Effects of Electroless Ni/Sn Bump Formation Using Hydrogen-Plasma Reflow on the Electrical Characteristics of MOSFETs
Effects of Electroless Ni/Sn Bump Formation Using Hydrogen-Plasma Reflow on the Electrical Characteristics of MOSFETs
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使用氢等离子体回流化学镀 Ni/Sn 凸块形成对 MOSFET 电气特性的影响
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et. al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Akihiro;Ikeda;et. al.
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影响因子：
1.9
作者：
M. Warwick;Beryl J. Shirley
通讯作者：
Beryl J. Shirley
等离子处理过程中栅极充电造成的薄氧化层损坏
影响因子：
4.9
作者：
S. Fang;J. Mcvittie
通讯作者：
J. Mcvittie
通过焊膏印刷实现倒装芯片和 CSP 的凸块形成
DOI：
10.1016/s0026-2714(01)00223-2
发表时间：
2002
期刊：
Microelectron. Reliab.
影响因子：
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作者：
J. Kloeser;P. Coskina;R. Aschenbrenner;H. Reichl
通讯作者：
H. Reichl
DOI：
10.1016/0376-4583(81)90142-4
发表时间：
1981
期刊：
Surface Technology
影响因子：
--
作者：
M. Warwick;Beryl J. Shirley
通讯作者：
Beryl J. Shirley
DOI：
10.1109/ectc.2005.1441347
发表时间：
2005
期刊：
Proceedings Electronic Components and Technology, 2005. ECTC '05.
影响因子：
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作者：
M. Suenaga;T. Nakamori;D. Hirakawa;Y. Ohno;T. Hagihara;J. Kagami;T. Takeuchi
通讯作者：
T. Takeuchi