Thermal stability of N-polar n-type Ohmic contact for GaN-based light emitting diode on Si substrate
Thermal stability of N-polar n-type Ohmic contact for GaN-based light emitting diode on Si substrate
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Si衬底上GaN基发光二极管N极n型欧姆接触的热稳定性
DOI：
10.1016/j.tsf.2011.09.029
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
Fengyi Jiang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Junlin Liu;Feifei Feng;Jianli Zhang;Le Jiang;Fengyi Jiang
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影响因子：
2.8
作者：
Man Zhao;J. Bao;X. Fan;F. Gu;Yongsheng Guo;Yong Zhang;Mei Zhao;Y. Sha;Fei Guo;Jian Li
通讯作者：
Man Zhao;J. Bao;X. Fan;F. Gu;Yongsheng Guo;Yong Zhang;Mei Zhao;Y. Sha;Fei Guo;Jian Li
影响因子：
4
作者：
B. P. Luther;J. Delucca;S. Mohney;R. Karlicek
通讯作者：
B. P. Luther;J. Delucca;S. Mohney;R. Karlicek
影响因子：
3.6
作者：
Chuanbing Xiong;F. Jiang;Wenqing Fang;Li Wang;Chunnan Mo;Hechu Liu
通讯作者：
Chuanbing Xiong;F. Jiang;Wenqing Fang;Li Wang;Chunnan Mo;Hechu Liu
影响因子：
--
作者：
Ho Won Jang;Sanghan Lee;S. Ryu;J. Son;Y. Song;Jong‐Lam Lee
通讯作者：
Ho Won Jang;Sanghan Lee;S. Ryu;J. Son;Y. Song;Jong‐Lam Lee
影响因子：
4
作者：
Cao, XA;Arthur, SD
通讯作者：
Arthur, SD