Comparison of C doping technique between SiC and C targets for high-photoresponsivity BaSi2 films by radio-frequency sputtering
Comparison of C doping technique between SiC and C targets for high-photoresponsivity BaSi2 films by radio-frequency sputtering
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射频溅射高光响应BaSi2薄膜SiC和C靶材C掺杂技术比较
DOI：
10.35848/1347-4065/abf317
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发表时间：
2021
影响因子：
1.5
通讯作者：
Takashi Suemasu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Taira Nemoto;Ryota Koitabashi;Masami Mesuda;Kaoru Toko;Takashi Suemasu
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原子氢钝化可显着改善 As 掺杂 n-BaSi2 薄膜的光响应性
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Aonuki;Y. Yamashita;T. Sato;Z. Xu;K. Toko;and T. Suemasu
通讯作者：
and T. Suemasu
沉积压力和两步生长技术对溅射多晶BaSi2薄膜光响应增强的影响
影响因子：
2.3
作者：
Matsuno Satoshi;Nemoto Taira;Mesuda Masami;Kuramochi Hideto;Toko Kaoru;Suemasu Takashi
通讯作者：
Suemasu Takashi
射频溅射形成的掺碳 BaSi2 薄膜的光响应性显着增强
影响因子：
1.5
作者：
Nemoto T.;Matsuno S.;Sato T.;Gotoh K.;Mesuda M.;Kuramochi H.;Toko K.;Usami N.;Suemasu T.
通讯作者：
Suemasu T.
红外和拉曼光谱识别BaSi<sub>2</sub>外延薄膜的振动模式
影响因子：
--
作者：
Hoshida Hirofumi;Murakoso Naoki;Suemasu Takashi;Terai Yoshikazu
通讯作者：
Terai Yoshikazu
影响因子：
2.3
作者：
Kumar, Mukesh;Umezawa, Naoto;Imai, Motoharu
通讯作者：
Imai, Motoharu