Design of voltage controlled oscillators (VCOs) in D-band and their phase noise measurements using frequency down-conversion
Design of voltage controlled oscillators (VCOs) in D-band and their phase noise measurements using frequency down-conversion
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D 频段压控振荡器 (VCO) 的设计及其使用下变频的相位噪声测量
DOI：
10.1109/eumic.2016.7777554
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A. Thiede
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
U. Ali;M. Bober;A. Thiede
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0.13μm SiGe BiCMOS 技术，fT/fmax 为 240/330 GHz，栅极延迟低于 3 ps
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
2009 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
影响因子：
--
作者：
H. Rücker;B. Heinemann;W. Winkler;R. Barth;J. Borngräber;J. Drews;G. Fischer;A. Fox;T. Grabolla;U. Haak;D. Knoll;F. Korndörfer;A. Mai;S. Marschmeyer;P. Schley;D. Schmidt;J. Schmidt;M. Schubert;K. Schulz;B. Tillack;D. Wolansky;Y. Yamamoto
通讯作者：
Y. Yamamoto
DOI：
10.1109/gemic.2015.7107827
发表时间：
2015-03
期刊：
2015 German Microwave Conference
影响因子：
--
作者：
U. Ali;G. Fischer;A. Thiede
通讯作者：
U. Ali;G. Fischer;A. Thiede
峰值输出功率为 2·8 dBm 的 246 GHz 基波源
DOI：
10.1109/eumic.2015.7345099
发表时间：
2015
期刊：
2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
影响因子：
--
作者：
N. Sarmah;B. Heinemann;U. R. Pfeiffer
通讯作者：
U. R. Pfeiffer
0.13μm SiGe BiCMOS 技术，f T /f max 为 240/330 GHz，栅极延迟低于 3 ps
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Rücker;B. Heinemann;W. Winkler;R. Barth;J. Borngraber;J. Drews;G. Fischer;A. Fox;T. Grabolla;U. Haak;D. Knoll;F. Korndorfer;A. Mai;S. Marschmeyer;P. Schley;D. Schmidt;J. Schmidt;K. Schulz;B. Tillack;D. Wolansky;Y. Yamamoto
通讯作者：
Y. Yamamoto