Temperature dependence of hole spin relaxation in ultrathin InAs monolayers
Temperature dependence of hole spin relaxation in ultrathin InAs monolayers
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超薄 InAs 单层中空穴自旋弛豫的温度依赖性
DOI：
10.1016/j.physe.2009.12.050
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发表时间：
2010-03
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Niu, Z. C.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li, T.;Zhang, X. H.;Zhu, Y. G.;Huang, X.;Han, L. F.;Shang, X. J.;Ni, H. Q.;Niu, Z. C.
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影响因子：
3.7
作者：
W. Leyland;G. John;R. T. Harley;M. Glazov;E. Ivchenko;D. Ritchie;A. Shields;M. Henini
通讯作者：
W. Leyland;G. John;R. T. Harley;M. Glazov;E. Ivchenko;D. Ritchie;A. Shields;M. Henini
DOI：
10.1007/978-3-662-05003-3
发表时间：
2002
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
D. Awschalom;D. Loss;N. Samarth
通讯作者：
D. Awschalom;D. Loss;N. Samarth
影响因子：
2.1
作者：
Zheng Sun;Z. Xu;X. Ruan;Y. Ji;Baojuan Sun;Meng Wang;H. Ni
通讯作者：
Zheng Sun;Z. Xu;X. Ruan;Y. Ji;Baojuan Sun;Meng Wang;H. Ni
影响因子：
3.7
作者：
P. Zhang;M. W. Wu
通讯作者：
P. Zhang;M. W. Wu
DOI：
10.1063/1.1695637
发表时间：
2003-06
期刊：
Postconference Digest Quantum Electronics and Laser Science, 2003. QELS.
影响因子：
--
作者：
Kimberley C. Hall;Kenan Gundogdu;L. Zhang;T. Boggess;D. Deppe;O. Shchekin
通讯作者：
Kimberley C. Hall;Kenan Gundogdu;L. Zhang;T. Boggess;D. Deppe;O. Shchekin