CdTe Thin Film Solar Cells Fabricated With CuO as a Buffer Layer in the Back Contact
CdTe Thin Film Solar Cells Fabricated With CuO as a Buffer Layer in the Back Contact
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用 CuO 作为背接触缓冲层制造的 CdTe 薄膜太阳能电池
DOI：
10.1109/jphotov.2017.2689163
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发表时间：
2017-04
影响因子：
3
通讯作者：
Wang Deliang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Masood Hafiz Tariq;Shen Kai;Li Qiang;Xiao Di;Wang Deliang
背触点的选择在CdTe薄膜太阳能电池的制造中起着关键的作用。在CdTe吸收膜上形成低势垒接触需要具有低电阻率、相对高功函数和热稳定性的材料。在这项工作中，薄CuO层被用作p型CdTe和金属电极之间的缓冲层。定量波段对准测量表明，在CuO/CdTe界面处形成了相对较低的能垒（~ 0.44 eV）。在CdTe太阳能电池中加入CuO缓冲层和较少的Cu，可以显著提高电池的稳定性。
The choice of back contact plays a key role in the fabrication of a CdTe thin film solar cell. Material with low electric resistivity, relatively high work function, and thermal stability is needed to form a low barrier contact on a CdTe absorber film. In this work, thin CuO layer was employed as a buffer layer between p-type CdTe and metal electrode. Quantitative band alignment measurement demonstrated that a relatively low energy barrier (∼0.44 eV) was formed at the CuO/CdTe interface. CdTe solar cell stability was significantly enhanced when a CuO buffer layer and less Cu were employed in the back contact.
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Wu, XZ
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I. Lyubomirsky;M. Rabinal;D. Cahen
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通讯作者：
K. Shen;Bai Zhi-zhong;Yi Deng;Ruilong Yang;Dezhao Wang;Qiang Li;Deliang Wang
DOI：
10.1002/0470014008.ch1
发表时间：
2005-01
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
S. Hegedus;A. Luque
通讯作者：
S. Hegedus;A. Luque