High linearly polarized light emission from InGaN light-emitting diode with multilayer dielectric/metal wire-grid structure
High linearly polarized light emission from InGaN light-emitting diode with multilayer dielectric/metal wire-grid structure
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具有多层电介质/金属线栅结构的 InGaN 发光二极管的高线偏振光发射
DOI：
10.1063/1.4898775
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发表时间：
2014-10
影响因子：
4
通讯作者：
Xu Ke
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Miao;Cao Bing;Wang Chinhua;Xu Fuyang;Lou Yimin;Wang Jianfeng;Xu Ke
我们提出并实验证明了一种线偏振光的表面发射InGaN/GaN绿色LED与多层结构的组合介质/金属线栅上的低折射率介质层沉积在InGaN/GaN的发射表面上。利用InGaN/GaN发光二极管的光致发光，在±40°的角度范围内，获得了消光比大于20 dB，TM透射率高达65%的直接发光。利用时域有限差分法对结构进行了设计和性能分析，理论和实验结果吻合良好。
We proposed and experimentally demonstrated a linearly polarized light from surface emitting InGaN/GaN green LED with a multilayer structure of combined dielectric/metal wire grids on a low-refractive dielectric layer deposited on the emitting InGaN/GaN surface. An extinction ratio of higher than 20 dB and TM transmission as high as 65% within an angle range of ±40° has been achieved directly from a InGaN/GaN light emitting diode by photoluminescence. FDTD analysis was used to design and analyze the performance of structure and the results between theory and experiment are found to be excellently consistent.
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