Three-Step Room-Temperature Cleaning of Bare Silicon Surface for Radical-Reaction-Based Semiconductor Manufacturing
Three-Step Room-Temperature Cleaning of Bare Silicon Surface for Radical-Reaction-Based Semiconductor Manufacturing
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用于基于自由基反应的半导体制造的裸露硅表面的三步室温清洗
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Ohmi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Hasebe;A. Teramoto;R. Kuroda;T. Suwa;S. Sugawa;T. Ohmi
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一步式清洗解决方案取代传统 RCA 两步式清洗方法，用于预栅极氧化物清洗
DOI：
10.1149/1.1369374
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Pan;T. Lei;T. Chao;M. Liaw;F. Ko;C. Lu
通讯作者：
C. Lu
电子通道迁移率对 Si-SiO/sub 2/ 界面微观粗糙度的依赖性
影响因子：
4.9
作者：
T. Ohmi;K. Kotani;A. Teramoto;M. Miyashita
通讯作者：
M. Miyashita
使用无碱清洗工艺在 Si(100) 和 Si(110) 上制造的 pMOSFET 的 1/f 噪声抑制
影响因子：
3.1
作者：
P. Gaubert;A. Teramoto;T. Hamada;M. Yamamoto;K. Kotani;T. Ohmi
通讯作者：
T. Ohmi
径流引起的锌大气腐蚀
DOI：
10.1149/1.2721440
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
E. A. Meraz;L. Veleva;M. Acosta
通讯作者：
M. Acosta
通过在 NH 4 OH - H 2 O 2 溶液中添加膦酸螯合剂提高薄氧化物介电强度
DOI：
10.1149/1.2059260
发表时间：
1994
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Akiya;S. Kuwano;Tohru Matsumoto;H. Muraoka;M. Itsumi;N. Yabumoto
通讯作者：
N. Yabumoto