Simultaneous flattening of Si(110), (111), and (001) surfaces for three-dimensional Si nanowires
Simultaneous flattening of Si(110), (111), and (001) surfaces for three-dimensional Si nanowires
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三维硅纳米线的 Si(110)、(111) 和 (001) 表面同时平坦化
DOI：
10.1063/1.4731789
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发表时间：
2012
影响因子：
4
通讯作者：
H. Ota
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Morita;H. Ota
我们使用相同的制备条件制备了原子级平坦的 Si(110)、(111) 和 (001) 表面，进行低 pH (pH < 1) HF 处理和随后的氢气中低温 (~800 °C) 退火。原子分辨率扫描隧道显微镜（STM）显示，经过处理的Si（110）表面在原子上是平坦的，具有氢封端的1 × 1原子排列。 Si(111) 表面上的 1 × 1:H 和 Si(001) 表面上的 2 × 1:H 的 STM 分析也证实了类似的特征。利用该技术，对于具有 <100>、<110>、<111> 和 <112> 长轴方向的纳米线，实现了由同时平坦的 (110)、(111)、(001) 面包围的三维硅纳米线的有序横截面。
We prepared atomically flat Si(110), (111), and (001) surfaces using identical preparation conditions for a low-pH (pH < 1) HF treatment and a subsequent low-temperature (∼800 °C) anneal in H2. Atomic-resolution scanning tunneling microscopy (STM) revealed that the treated Si(110) surfaces were atomically flat with a hydrogen-terminated 1 × 1 atomic arrangement. Similar features were also confirmed by STM analysis of 1 × 1:H on Si(111) and 2 × 1:H on Si(001) surfaces. Using this technique, well-ordered cross sections of three-dimensional Si nanowires surrounded by simultaneously flattened (110), (111), (001) facets were realized for nanowires with 〈100〉, 〈110〉, 〈111〉, and 〈112〉 long-axis orientations.
影响因子：
4
作者：
HIGASHI, GS;CHABAL, YJ;RAGHAVACHARI, K
通讯作者：
RAGHAVACHARI, K
湿法清洗后氢封端 Si(110) 表面的原子尺度分析
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
Applied Physics Letters 85・25
影响因子：
--
作者：
Kenta Arima;Jun Katoh;Katsuyoshi Endo
通讯作者：
Katsuyoshi Endo