Atomic-scale analysis of hydrogen-terminated Si(110) surfaces after wet cleaning

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湿法清洗后氢封端 Si(110) 表面的原子尺度分析

DOI:
--
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发表时间:
2004
期刊:
Applied Physics Letters 85・25
影响因子:
--
通讯作者:
Katsuyoshi Endo
Katsuyoshi Endo
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Kenta Arima;Jun Katoh;Katsuyoshi Endo

文献摘要

参考文献

被引文献

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