Direct formation of InGaAs coupled quantum wire–dot structures by selective molecular beam epitaxy on InP patterned substrates
Direct formation of InGaAs coupled quantum wire–dot structures by selective molecular beam epitaxy on InP patterned substrates
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通过选择性分子束外延在 InP 图案化衬底上直接形成 InGaAs 耦合量子线-点结构
DOI：
10.1016/s0038-1101(98)00040-9
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发表时间：
1998
影响因子：
1.7
通讯作者：
H. Hasegawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Hanada;N. Ono;H. Fujikura;H. Hasegawa
H.Fujikura：“利用 (311)A 小平面上选择性分子束外延生长制造 InP 基 InGaAs 脊量子线”J.Electron.Mater。
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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H.Fujikura：“通过选择性分子束外延形成的 InP 基 InGaAs 脊量子线的光学性质的光致发光和阴极发光研究”Jpn.J.Appl.Phys.. 35. 1333 (1996)
DOI：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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M.Araki：“在各种台面图案 (001) InP 衬底上通过选择性分子束外延生长制造 InGaAs 量子线和点”Jpn.J.Appl.Phys.. 36. 1763 (1997)
DOI：
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作者：
通讯作者：
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