Size ordering effects of InAs quantum dots during a GaAs capping growth
Size ordering effects of InAs quantum dots during a GaAs capping growth
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GaAs 盖层生长过程中 InAs 量子点的尺寸排序效应
DOI:
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发表时间:
2003
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
Y.Saito et al.
中科院分区:
文献类型:
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作者:
Y.Saito et al.
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影响因子:
4
作者:
X. Lin;J. Washburn;Z. Liliental;E. Weber;A. Sasaki;A. Wakahara;Y. Nabetani
通讯作者:
Y. Nabetani
影响因子:
4
作者:
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者:
SAKAKI, H
影响因子:
4
作者:
T. Tan
通讯作者:
T. Tan
DOI:
10.1143/jjap.40.1885
发表时间:
2001-03-01
期刊:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子:
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作者:
Kaizu, T;Yamaguchi, K
通讯作者:
Yamaguchi, K