Near-IR & Mid-IR Silicon Photonics Modulators.
Near-IR & Mid-IR Silicon Photonics Modulators.
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DOI：
10.3390/s22249620
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发表时间：
2022-12-08
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Mashanovich GZ
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Georgiev GV;Cao W;Zhang W;Ke L;Thomson DJ;Reed GT;Nedeljkovic M;Mashanovich GZ
随着硅光子学领域的成熟和数据饥渴的未来迫在眉睫，需要新技术来跟上容量需求的增长。在本文中，我们回顾了近红外和中红外IV族光子调制器的最新发展，表现出良好的性能。我们分析了调制器和驱动器的光电共集成的最新趋势，使调制数据速率在近红外112 GBaud。然后，我们描述了短波红外光谱调制器的新发展，如采用更高效的PAM-4编码方案的调制高达40 GBaud。最后，我们回顾了最近的结果在中红外光谱和应用的热光效应的调制，以及基于锗的新平台的出现，以应对挑战的调制光在长波红外光谱高达10.7米的数据速率为225 MBaud。
As the silicon photonics field matures and a data-hungry future looms ahead, new technologies are required to keep up pace with the increase in capacity demand. In this paper, we review current developments in the near-IR and mid-IR group IV photonic modulators that show promising performance. We analyse recent trends in optical and electrical co-integration of modulators and drivers enabling modulation data rates of 112 GBaud in the near infrared. We then describe new developments in short wave infrared spectrum modulators such as employing more spectrally efficient PAM-4 coding schemes for modulations up to 40 GBaud. Finally, we review recent results at the mid infrared spectrum and application of the thermo-optic effect for modulation as well as the emergence of new platforms based on germanium to tackle the challenges of modulating light in the long wave infrared spectrum up to 10.7 m with data rates of 225 MBaud.
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