T.Yamagata and K.Shimomura: "High responsivity in integrated optically controlled Metal-Oxide Semiconductor field-effect transistor using directly bonded SiO2-InP" IEEE Photon.Tech.Lett.9・8. 1143-1145 (1997)
T.Yamagata and K.Shimomura: "High responsivity in integrated optically controlled Metal-Oxide Semiconductor field-effect transistor using directly bonded SiO2-InP" IEEE Photon.Tech.Lett.9・8. 1143-1145 (1997)
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T. Yamagata 和 K. Shimomura:“使用直接键合 SiO2-InP 的集成光控金属氧化物半导体场效应晶体管的高响应度”IEEE Photon.Tech.Lett.9・8 (1997)。
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10.1109/pesc.1994.373859
发表时间:
1994
期刊:
Power Electronics Specialists Conference
影响因子:
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作者:
I. Batarseh;K. Siri;H. Lee
通讯作者:
H. Lee
DOI:
10.1049/ip-opt:19960389
发表时间:
1996
期刊:
影响因子:
--
作者:
M. Madheswaran;P. Chakrabarti
通讯作者:
P. Chakrabarti
DOI:
10.23919/acc.1990.4791247
发表时间:
1990
期刊:
American Control Conference
影响因子:
--
作者:
J. Green;J. Hedrick
通讯作者:
J. Hedrick
DOI:
--
发表时间:
1999
期刊:
影响因子:
--
作者:
M. Jordan
通讯作者:
M. Jordan
DOI:
10.1109/41.464619
发表时间:
1995
期刊:
IEEE transactions on industrial electronics (1982. Print)
影响因子:
--
作者:
D. Garabandic;T. Petrovic
通讯作者:
T. Petrovic