Integrated Fluorescent Analysis System with Monolithic GaN Light Emitting Diode on Si Platform
Integrated Fluorescent Analysis System with Monolithic GaN Light Emitting Diode on Si Platform
复制标题
Si 平台上具有单片 GaN 发光二极管的集成荧光分析系统
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Hane
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Nakazato;H. Kawaguchi;A. Iwabuchi;K. Hane
DOI：
10.1007/s00542-010-1151-4
发表时间：
2011
期刊：
Microsystem Technologies
影响因子：
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作者：
M. Wakui;H. Sameshima;F. Hu;K. Hane
通讯作者：
M. Wakui;H. Sameshima;F. Hu;K. Hane
功率因数校正电路中 Si 衬底上 AlGaN/GaN 异质结构场效应晶体管的评估
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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作者：
Shinichi Iwakami;O. Machida;Y. Izawa;Ryohei Baba;M. Yanagihara;T. Ehara;N. Kaneko;H. Goto;A. Iwabuchi
通讯作者：
A. Iwabuchi