Silicon acoustoelectronics with thin film lithium niobate
Silicon acoustoelectronics with thin film lithium niobate
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薄膜铌酸锂硅声电子学
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D. Weinstein
中科院分区：
文献类型：
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作者：
U. Bhaskar;S. Bhave;D. Weinstein
本文报道了在标准电阻率和高阻硅衬底（LNOSs）上异质集成的锂离子薄膜中的声电相互作用。单片LNOS平台提供具有大机电耦合系数（K2）的声波，并利用标准金属氧化物半导体场效应技术，通过将声波与半导体载流子阻抗匹配来最大化AE相互作用。获得了AE衰减（4 dB cm−1）和AE增益（6 dB cm−1）的初步结果。随着LN/Si界面的进一步改善，可以预期LNOS平台将带来非互易硅声电子学的时代。
We report on the acoustoelectric (AE) interaction in heterogeneously integrated thin-film lithium niobate on standard resistivity and high resistivity silicon substrates (LNOSs). The monolithic LNOS platform delivers acoustic waves with a large electromechanical coupling coefficient (K2) and draws on standard metal-oxide semiconductor field effect techniques to maximise AE interaction by impedance matching the acoustic wave with the semiconductor carriers. Preliminary results are obtained on AE attenuation (4 dB cm−1) and AE gain (6 dB cm−1). With further improvement of the LN/Si interface, the LNOS platform can be expected to give rise to an era of non-reciprocal silicon acoustoelectronics.
影响因子：
16.6
作者：
Preciado E;Schülein FJR;Nguyen AE;Barroso D;Isarraraz M;von Son G;Lu IH;Michailow W;Möller B;Klee V;Mann J;Wixforth A;Bartels L;Krenner HJ
通讯作者：
Krenner HJ
影响因子：
4
作者：
Betz, A. C.;Gonzalez-Zalba, M. F.;Ferguson, A. J.
通讯作者：
Ferguson, A. J.