Modeling the Electrothermal Stability of Power MOSFETs During Switching Transients
Modeling the Electrothermal Stability of Power MOSFETs During Switching Transients
复制标题
对开关瞬态期间功率 MOSFET 的电热稳定性进行建模
DOI：
10.1109/led.2012.2196671
复制
发表时间：
2012
影响因子：
4.9
通讯作者：
Alatise O
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Alatise O
登录
查看更多内容
脉冲运行中低压功率 MOS 和 SOA 热不稳定性分析模型
DOI：
--
发表时间：
2002
期刊：
Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs
影响因子：
--
作者：
P. Spirito;G. Breglio;V. d’Alessandro;N. Rinaldi
通讯作者：
N. Rinaldi
影响因子：
3.1
作者：
O. Alatise;I. Kennedy;G. Petkos;K. Heppenstall;K. Khan;Jim Parkin;A. Koh;P. Rutter
通讯作者：
O. Alatise;I. Kennedy;G. Petkos;K. Heppenstall;K. Khan;Jim Parkin;A. Koh;P. Rutter
功率 MOSFET 热不稳定性操作表征支持
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
Jack Shue;H. Leidecker
通讯作者：
H. Leidecker
了解低压沟槽功率 MOSFET 的线性模式鲁棒性
影响因子：
2
作者：
O. Alatise;I. Kennedy;G. Petkos;K. Khan;A. Koh;P. Rutter
通讯作者：
P. Rutter