The X-Band High Gain and Radiation-Hardness Low-Noise GaAs MMIC Amplifier with Cryogenic Temperature for X-Ray Astronomy
The X-Band High Gain and Radiation-Hardness Low-Noise GaAs MMIC Amplifier with Cryogenic Temperature for X-Ray Astronomy
复制标题
适用于 X 射线天文学的低温 X 波段高增益、抗辐射低噪声 GaAs MMIC 放大器
DOI：
--
复制
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
S.Kawasaki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Noji;A. Miyachi;T. Kikuchi;N.Yamasaki;K.Mitsuda;S.Kawasaki
登录
查看更多内容
使用 GaAs PHEMT 的低温 8–18 GHz MMIC LNA
DOI：
10.1109/apmc.2013.6695113
发表时间：
2013
期刊：
Asia-Pacific Microwave Conference
影响因子：
--
作者：
Chau;Ding;Ching;Yuh;Ming;Huei Wang
通讯作者：
Huei Wang
假晶 HEMT 和双栅极 GaAs MES-FET MMIC 的辐射硬度
DOI：
10.1109/radecs.1997.698865
发表时间：
1997
期刊：
RADECS 97. Fourth European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (Cat. No.97TH8294)
影响因子：
--
作者：
K. Matsuzaki;N. Nemoto;E. Nakamura;T. Akutsu;S. Matsuda;K. Yajima;H. Sasaki;M. Komaru;T. Katoh;T. Kashiwa;T. Asano;K. Mizuguchi
通讯作者：
K. Mizuguchi
低温冷却宽带 HEMT MMIC 低噪声放大器
DOI：
10.1109/75.122409
发表时间：
1992
期刊：
影响因子：
--
作者：
C. C. Yang;B. Nelson;W. Jones;B. Allen
通讯作者：
B. Allen
4-12 GHz 基于 InP HEMT 的 MMIC 低噪声放大器
DOI：
10.1109/iciprm.2004.1442603
发表时间：
2004
期刊：
16th IPRM. 2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2004.
影响因子：
--
作者：
R. Limacher;M. Auf der Maur;H. Meier;A. Megej;A. Orzati;W. Bachtod
通讯作者：
W. Bachtod
介电X射线微量热计的研制
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
H, JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS
影响因子：
--
作者：
Sekiya;N;Yamasaki;NY;Mitsuda;K;Kawasaki;S;Takei;Y;Yoshitake;H;Sakai;K;Sato;K;Maehata;K;Takashima
通讯作者：
Takashima