Towards Write-Activity-Aware Page Table Management for Non-volatile Main Memories
Towards Write-Activity-Aware Page Table Management for Non-volatile Main Memories
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面向非易失性主存储器的写入活动感知页表管理
DOI：
10.1145/2697394
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发表时间：
2015-02
影响因子：
2
通讯作者：
Zi Li Shao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tianzheng Wang;Duo Liu;Yi Wang;Zi Li Shao
非易失性存储器如相变存储器(PCM)和忆阻器作为嵌入式系统中基于DRAM的主存储器的替代品，由于其具有低功耗和高密度的特性而受到广泛的研究。虽然PCM
Non-volatile memories such as phase change memory (PCM) and memristor are being actively studied as an alternative to DRAM-based main memory in embedded systems because of their properties, which include low power consumption and high density. Though PCM
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DOI：
--
发表时间：
1993-11
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Abraham Siberschatz;P. Galvin
通讯作者：
Abraham Siberschatz;P. Galvin
DOI：
10.1145/1669112.1669117
发表时间：
2009-12
期刊：
2009 42nd Annual IEEE/ACM International Symposium on Microarchitecture (MICRO)
影响因子：
--
作者：
Moinuddin K. Qureshi;J. Karidis;M. Franceschini;Vijayalakshmi Srinivasan;L. Lastras;B. Abali
通讯作者：
Moinuddin K. Qureshi;J. Karidis;M. Franceschini;Vijayalakshmi Srinivasan;L. Lastras;B. Abali
DOI：
10.1145/1629911.1630086
发表时间：
2009-07
期刊：
2009 46th ACM/IEEE Design Automation Conference
影响因子：
--
作者：
Gaurav Dhiman;R. Ayoub;Tajana Simunic
通讯作者：
Gaurav Dhiman;R. Ayoub;Tajana Simunic
DOI：
10.1109/icccas.2010.5581868
发表时间：
2010-07
期刊：
2010 International Conference on Communications, Circuits and Systems (ICCCAS)
影响因子：
--
作者：
Yiran Chen;H. Li;Xiaobin Wang
通讯作者：
Yiran Chen;H. Li;Xiaobin Wang
DOI：
10.1109/hpca.2010.5416650
发表时间：
2010-01
期刊：
HPCA - 16 2010 The Sixteenth International Symposium on High-Performance Computer Architecture
影响因子：
--
作者：
Guangyu Sun;Yongsoo Joo;Yibo Chen;Dimin Niu;Yuan Xie;Yiran Chen;Hai Helen Li
通讯作者：
Guangyu Sun;Yongsoo Joo;Yibo Chen;Dimin Niu;Yuan Xie;Yiran Chen;Hai Helen Li