Ionic Nanoarchitectonics for Exploring Memristive Characteristics
Ionic Nanoarchitectonics for Exploring Memristive Characteristics
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用于探索忆阻特性的离子纳米结构
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Tsuruoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Terabe;T. Tsuchiya;T. Tsuruoka
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影响因子：
3.7
作者：
Clopath C;Gerstner W
通讯作者：
Gerstner W
忆阻器件紧凑模型的模块化结构
DOI：
10.1109/tcsi.2014.2309871
发表时间：
2014
期刊：
IEEE Transactions on Circuits and Systems Part 1: Regular Papers
影响因子：
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作者：
Le Zheng;Sangho Shin;S. Kang
通讯作者：
S. Kang
DOI：
10.1007/s00339-013-7615-5
发表时间：
2013
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
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作者：
M. Ziegler;K. Ochs;Mirko Hansen;H. Kohlstedt
通讯作者：
H. Kohlstedt
具有自适应阈值的高级突触忆阻模型
DOI：
10.1109/cnna.2012.6331459
发表时间：
2012
期刊：
2012 13th International Workshop on Cellular Nanoscale Networks and their Applications
影响因子：
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作者：
Weiran Cai;Ronald Tetzlaff
通讯作者：
Ronald Tetzlaff