Comparing FET Technologies in Terms of Their Suitability for Broadband Envelope Tracking Power Amplifiers
Comparing FET Technologies in Terms of Their Suitability for Broadband Envelope Tracking Power Amplifiers
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比较 FET 技术对宽带包络跟踪功率放大器的适用性
DOI：
10.1109/inmmic.2018.8430025
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Alt A
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Alt A
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优化 AlGaN/GaN MIS-HEMT 低动态 RDS-ON 色散的源场板设计
DOI：
10.1002/pssa.201600601
发表时间：
2016
期刊：
2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
影响因子：
--
作者：
N. Ronchi;B. Bakeroot;S. You;Jie Hu;S. Stoffels;S. Decoutere
通讯作者：
S. Decoutere
宽带 PA 设计：“连续”操作模式
DOI：
10.1109/csics.2012.6340048
发表时间：
2012
期刊：
2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS)
影响因子：
--
作者：
P. Tasker;V. Carrubba;P. Wright;J. Lees;J. Benedikt;S. Cripps
通讯作者：
S. Cripps
HEMT GaAs/GaN 功率放大器架构，在 W-CDMA 信号的包络跟踪射频发射器中具有离散动态电压偏置控制
DOI：
10.1109/pawr.2011.5725384
发表时间：
2011
期刊：
2011 IEEE Topical Conference on Power Amplifiers for Wireless and Radio Applications
影响因子：
--
作者：
M. Mercanti;A. Cidronali;S. Maurri;G. Manes
通讯作者：
G. Manes
双极型晶体管在动态电源发射器中的应用
DOI：
10.1109/bctm.2016.7738974
发表时间：
2016
期刊：
2016 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM)
影响因子：
--
作者：
E. McCune
通讯作者：
E. McCune
研究包络跟踪架构中不同功率放大器模式的线性与效率权衡
DOI：
10.1109/eumic.2015.7345143
发表时间：
2015
期刊：
2015 European Microwave Conference (EuMC)
影响因子：
--
作者：
Z. Mokhti;J. Lees;P. Tasker;C. Cassan
通讯作者：
C. Cassan