Sensor High Throughput Screening Using Photocurrent Measurements in Silicon
Sensor High Throughput Screening Using Photocurrent Measurements in Silicon
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使用硅中光电流测量进行传感器高通量筛选
DOI：
10.1016/j.proeng.2012.09.366
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Moritz
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Nörthemann;Moritz
提出了一种新的金属/固体电解质/绝缘体/半导体（MEIS）气敏元件栅金属合金的高通量筛选方法。分析了Pd 1-x-yNiyCo y系统合金浓度连续梯度样品的H2敏感性。第一个结果表明，对于Pd中4-11原子%的Ni浓度，H2S的中毒效应降低。
A new high throughput screening method to characterise alloys used as gate metal of Metal/solid Electrolyte/Insulator/Semiconductor (MEIS) gas-sensors was developed. Samples with continuous gradients in alloy concentration for the system Pd1-x-yNiyCoywere analysed regarding H2 sensitivity. First results showed reduced poisoning effects of H2S for Ni concentrations between 4-11 at-% in Pd.
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