Direct observation of hydrogen at defects in multicrystalline silicon
Direct observation of hydrogen at defects in multicrystalline silicon
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直接观察多晶硅缺陷处的氢
DOI：
10.1002/pip.3184
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Tweddle D
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tweddle D
氢钝化是用于降低多晶硅（mc-Si）中缺陷的复合活性的关键工业技术。然而，并非所有的位错和晶界都对传统的氢钝化技术反应良好。为了理解这些不同行为的原因，以及如何实现上级钝化，需要一种方法来直接观察这些缺陷处的氢。在这里，我们提出了一种新的表征技术的基础上相结合的传输菊池衍射（TKD），原子探针断层扫描（APT），和同位素取代，使明确的检测和量化的氢原子存在于晶体缺陷的mc-Si。
Hydrogen passivation is a key industrial technique used to reduce the recombination activity of defects in multicrystalline silicon (mc‐Si). However, not all dislocations and grain boundaries respond well to traditional hydrogen passivation techniques. In order to understand the reasons for these different behaviours, and how superior passivation might be achieved, a method is required for the direct observation of hydrogen at these defects. Here, we present a novel characterisation technique based on a combination of transmission Kikuchi diffraction (TKD), atom probe tomography (APT), and isotopic substitution that enables unambiguous detection and quantification of hydrogen atoms present at crystallographic defects in mc‐Si.
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影响因子：
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作者：
London, Andrew J.;Haley, Daniel;Moody, Michael P.
通讯作者：
Moody, Michael P.
DOI：
--
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Buonassisi