Synthesis and characterization of Ce-incorporated CuInS2 chalcopyrites
Synthesis and characterization of Ce-incorporated CuInS2 chalcopyrites
复制标题
掺 Ce CuInS2 黄铜矿的合成与表征
DOI：
10.1016/j.matlet.2015.07.005
复制
发表时间：
2015-11
影响因子：
3
通讯作者：
薄青瑞
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
肖玲玲;朱俊;丁铁柱;王延来;范悦;薄青瑞
采用粉末冶金法制备了掺铈CuInS 2薄膜。X射线衍射和扫描电子显微镜测试结果表明，在250 °C时，CuIn 1 − xCexS 2样品以黄铜矿结构结晶，随着退火温度的升高，结晶度和薄膜致密性提高。在紫外-可见-近红外光谱中，在1690 nm和1930 nm处观察到两个额外的光吸收峰。CuIn 1 − xCexS 2薄膜的光学带隙随着Ce含量的增加从1.38 eV减小到1.34 eV。这些观察到的光学行为表明，一个中间带的形式在CuInS 2半导体的禁带中，由于铈掺入。中间带位于导带底以下0.64eV处。这类稀土掺杂材料增强了长波长吸收，这可能有助于高效太阳能电池。
CuInS2thin films incorporating with cerium have been successfully fabricated by a powder metallurgy method. X-ray diffraction and scanning electron microscope measurements showed that the as-prepared CuIn1−xCexS2samples crystallize with chalcopyrite structure at 250 °C and the crystallinity and film compactness could be improved as annealing temperature rises. In the ultraviolet–visible–near infrared spectrum, two additional light absorption peaks were observed at 1690 nm and 1930 nm. The optical bandgaps of CuIn1−xCexS2films decrease from 1.38 eV to 1.34 eV with increasing cerium content. These observed optical behaviors could suggest that an intermediate band forms in the forbidden band of CuInS2semiconductor due to cerium incorporation. The position of intermediate band locates at 0.64 eV below conduction-band bottom. This kind of rare-earth doped materials enhances long-wavelength absorption, which could be helpful for high-efficiency solar cells.
登录
查看更多内容
具有宽光谱太阳响应的锡掺杂黄铜矿中中间波段的观测
影响因子：
4.6
作者：
Yang, Chongyin;Qin, Mingsheng;Wang, Yaoming;Wan, Dongyun;Huang, Fuqiang;Lin, Jianhua
通讯作者：
Lin, Jianhua
影响因子：
29.4
作者：
Luque, Antonio;Marti, Antonio
通讯作者：
Marti, Antonio
CuGaS2 薄膜作为中波段太阳能电池有前景的母材的制备和表征
影响因子：
4.1
作者：
Wang Ligang;Yuan Xiaojun;Wang Yanlai;Yao Wei;Zhu Jun;Jing Wei
通讯作者：
Jing Wei
影响因子：
4
作者：
Wang, Weiming;Lin, Albert S.;Phillips, Jamie D.
通讯作者：
Phillips, Jamie D.
DOI：
10.4229/26theupvsec2011-1ao.8.5
发表时间：
2011-10
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
B. Marsen;S. Klemz;T. Unold;H. Schock
通讯作者：
B. Marsen;S. Klemz;T. Unold;H. Schock