Analysis of electron beam damage of exfoliated MoS₂ sheets and quantitative HAADF-STEM imaging.
Analysis of electron beam damage of exfoliated MoS₂ sheets and quantitative HAADF-STEM imaging.
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分析去角质的Mos₂板和定量HAADF-STEM成像的电子束损伤。
DOI：
10.1016/j.ultramic.2014.05.004
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发表时间：
2014-11
期刊：
影响因子：
2.2
通讯作者：
Ponce, Arturo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Garcia, Alejandra;Raya, Andres M.;Mariscal, Marcelo M.;Esparza, Rodrigo;Herrera, Miriam;Molina, Sergio I.;Scavello, Giovanni;Galindo, Pedro L.;Jose-Yacaman, Miguel;Ponce, Arturo
关键词：
在这项工作中，我们研究了二硫化钼片像差校正扫描透射电子显微镜（STEM）在三个不同的能量：80，120和200千伏。二硫化钼片的结构损伤已被控制在80 kV根据理论计算的基础上的非弹性散射的电子参与的相互作用的电子物质。MoS 2材料的阈值能量已被发现并在显微镜中得到实验验证。在高于能量阈值的能量，我们显示由电子束照射产生的表面和边缘缺陷。使用实验图像和使用SICSTEM软件通过STEM模拟在80 kV下获得的图像中进行原子水平的定量分析，以确定MoS2层的确切数量。
In this work we examined MoS2 sheets by aberration-corrected scanning transmission electron microscopy (STEM) at three different energies: 80, 120 and 200 kV. Structural damage of the MoS2 sheets has been controlled at 80 kV according a theoretical calculation based on the inelastic scattering of the electrons involved in the interaction electron-matter. The threshold energy for the MoS2 material has been found and experimentally verified in the microscope. At energies higher than the energy threshold we show surface and edge defects produced by the electron beam irradiation. Quantitative analysis at atomic level in the images obtained at 80 kV has been performed using the experimental images and via STEM simulations using SICSTEM software to determine the exact number of MoS2 layers.
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影响因子：
10.8
作者：
Nolan, Michael;O'Callaghan, Sean;Frauenheim, Thomas
通讯作者：
Frauenheim, Thomas
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作者：
Komsa, Hannu-Pekka;Kotakoski, Jani;Krasheninnikov, Arkady V.
通讯作者：
Krasheninnikov, Arkady V.
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35
作者：
Liang, Di;Bowers, John E.
通讯作者：
Bowers, John E.
影响因子：
10.8
作者：
Eda, Goki;Yamaguchi, Hisato;Chhowalla, Manish
通讯作者：
Chhowalla, Manish
DOI：
10.1093/jmicro/dfq078
发表时间：
2011-02-01
期刊：
JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY
影响因子：
--
作者：
Molina, Sergio I.;Guerrero, Maria P.;Pennycook, Stephen J.
通讯作者：
Pennycook, Stephen J.