Electron Spin Resonance in Ge Nanowires Doped with Transition Metals
Electron Spin Resonance in Ge Nanowires Doped with Transition Metals
复制标题
掺杂过渡金属的 Ge 纳米线中的电子自旋共振
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
R.B.Morgunov
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J.Sha;S.Ochiai;H.Okuda;他6名;P.Hazra;P.Hazra;P.Hazra;R.B.Morgunov
登录
查看更多内容
Ge1−xTx (T=Cr, Fe) 稀铁磁半导体单晶的扫描光电子显微镜研究
影响因子：
3.2
作者：
G. Kim;S. Wi;S. S. Lee;J. Kang;S. Choi;Sunglae Cho;Sang;K. Kim;H. Song;H. Shin
通讯作者：
H. Shin
热蒸发法制备非晶Ge-Cr薄膜的磁性能
DOI：
10.1002/pssb.200304514
发表时间：
2004
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
--
作者：
W. B. Paek;James Kim;S. Lim
通讯作者：
S. Lim
影响因子：
3.7
作者：
E. Nielsen;R. Bhatt
通讯作者：
E. Nielsen;R. Bhatt
影响因子：
41.2
作者：
Jamet, Matthieu;Barski, Andre;Tatarenko, Serge
通讯作者：
Tatarenko, Serge
Ge:Mn 薄膜中的电子自旋共振和微波磁阻
影响因子：
3.7
作者：
R. Morgunov;M. Farle;M. Passacantando;L. Ottaviano;O. Kazakova
通讯作者：
O. Kazakova