Selective area growth of GaN by RF-plasma assisted molecular beam epitaxy
Selective area growth of GaN by RF-plasma assisted molecular beam epitaxy
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射频等离子体辅助分子束外延选择性区域生长 GaN
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and J. Motohisa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Onodera;A. Yamamoto;and J. Motohisa
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InGaN/GaN 纳米柱 LED 和射频等离子体辅助分子束外延选择性区域生长 GaN 纳米晶体
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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作者：
A. Kikuchi;H. Sekiguchi and K. Kishino
通讯作者：
H. Sekiguchi and K. Kishino
Si (111) 衬底作为高效假掩模，用于通过氨分子束外延选择性生长 GaN 材料和器件
影响因子：
4
作者：
H. Tang;S. Haffouz;J. Bardwell
通讯作者：
J. Bardwell
使用氨气源分子束外延选择性区域生长形成 GaN 纳米柱
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
Journal of Crystal Growth 243
影响因子：
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作者：
T.Fuse;S.Moriyama;M.Suzuki;Y.Aoyagi;K.Ishibashi;Koji Kawasaki
通讯作者：
Koji Kawasaki
射频等离子体辅助分子束外延生长的 Eu 掺杂 GaN 纳米柱的结构和光学性质
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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作者：
立石紘己;関口寛人;山根啓輔;岡田浩;若原昭浩;尾崎耕平，関口寛人，今西智彦，山根啓輔，岡田浩，岸野克巳，若原昭浩
通讯作者：
尾崎耕平，関口寛人，今西智彦，山根啓輔，岡田浩，岸野克巳，若原昭浩