Formation of GaN nanopillars by selective area growth using ammonia gas source molecular beam epitaxy
Formation of GaN nanopillars by selective area growth using ammonia gas source molecular beam epitaxy
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使用氨气源分子束外延选择性区域生长形成 GaN 纳米柱
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Koji Kawasaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Fuse;S.Moriyama;M.Suzuki;Y.Aoyagi;K.Ishibashi;Koji Kawasaki
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使用气源分子束外延选择性区域生长 GaN
影响因子：
2.1
作者：
V. K. Gupta;K. Averett;M. Koch;B. McIntyre;G. Wicks
通讯作者：
G. Wicks
使用原子纳米掩模形成量子点和晶体生长
DOI：
10.1016/s1386-9477(01)00181-3
发表时间：
2001
影响因子：
3.3
作者：
Y. Aoyagi;Satoru Tanaka;H. Hirayama;M. Takeuchi
通讯作者：
M. Takeuchi
通过透射电子衍射和 X 射线摇摆曲线观察带 W 掩模和 SiO2 掩模的外延横向生长 GaN 的晶体取向波动
影响因子：
1.5
作者：
Y. Honda;Y. Iyechika;T. Maeda;H. Miyake;K. Hiramatsu;H. Sone;N. Sawaki
通讯作者：
N. Sawaki
影响因子：
4
作者：
Hirayama, H;Kinoshita, A;Aoyagi, Y
通讯作者：
Aoyagi, Y
通过氨分子束外延在带有 AlN 种子层图案的 SiC 衬底上选择性生长 GaN
影响因子：
4
作者：
H. Tang;J. Bardwell;J. Webb;S. Moisa;J. Fraser;S. Rolfe
通讯作者：
S. Rolfe